株式会社ANSeeN

株式会社ANSeeN、革新的な放射線センシングデバイスを実現

ANSeeNは、静岡大学の技術である化合物半導体放射線センサーの製造技術をコアとして、2011年に設立した静岡大学発ベンチャーです。放射線を効率的に検知できる化合物半導体センサーであるCdTe(テルル化カドミウム)の性能を最大限に発揮する製造プロセス技術、放射線の光子を1つずつ検知可能なフォトンカウンティング回路、大面積化を可能にする高精度タイリング技術の3つのコア技術の組合せで、革新的な放射線センシングデバイスを実現します。

ANSeeN概要

ANSeeNの強みは?

CdTe検出器

ANSeeNは、シンチレータのような高い密度で、かつ、CMOSカメラのような機能性を持ち合わせた、CdTe(テルル化カドミウム)を採用することで、従来の性能を凌駕するX線センサーを実現します。CdTeはSiに比べると非常に加工の難しい材料で、X線センサーを実現するデバイスとするためには高度な半導体プロセスが必要となります。 従来のCdTe検出器では、電極界面でしか接合を作れず、半導体受光素子としての特性を活かしきれていませんでした。ANSeeNは、静岡大学で開発された、レーザーを用いたドーピング技術によりこの課題を克服し、埋込み型の接合の形成を実現しました。 これにより、より高性能なCdTe検出器を製造することに成功し、CdTeの特性をフルに活用したX線センサーにおいて大きなアドバンテージを持っています。

フォトンカウンティング

ANSeeNはフォトンカウンティング方式をイメージセンサに応用し、すべてのピクセルでフォトンカウンティングを同時に行えるLSIを独自開発しました。 明るい、暗いという定性的な量ではなく、フォトン1つ、2つという定量的な計測が可能となることから、従来センサーと比較すると100倍以上の感度を有し、かつX線の波長情報も同時に測定を可能とします。フォトンのエネルギーと個数を分離できることで、これまで埋もれていた情報を抽出することができるようになり、非常に高いコントラストとダイナミックレンジを持った画像を取得することができます。

X線イメージング。従来画像(左)とANSeeN撮影(右)。(提供:株式会社ANSeeN)
X線イメージング。従来画像(左)とANSeeN撮影(右)。(提供:株式会社ANSeeN)

 

←「CTスキャンやX線イメージングなど見える化技術が注目を集める理由〜独自技術で存在を示すベンチャー企業たち(3)」に戻る